Floating Gate Analogspeicher im Single-Poly UMC 180nm CMO...
In der vorliegenden Arbeit wird ein Floating Gate Transistor im Single-Poly UMC 0.18µm CMOS-Prozess entwickelt, der zur nichtflüchtigen Speicherung von analogen Spannungswerten in einem hardwarebasierten neuronalen Netz eingesetzt werden kann. Im ersten Teil der Arbeit wird ein Tunnelstrommodell entwickelt, das als Grundlage für den Entwurf einer Speicherzelle, basierend auf einem Floating Gate Transistor, dient. Nachfolgend wird die Implementierung verschiedener Testzellen ...